2018年DRAM市场整体规模将会达到996亿美元

　　asp编辑工具asp可视化编辑器考虑近年来DRAM、NAND闪存近年来市场走势良好，IC Insights最近更新了33种主要IC产品的2018年-2022年的市场规模、出货量、平均销售价格的预测，将今年IC增长估值由原来的8%提升至15%。该预测最大的修正是对内存市场，特别是DRAM和NAND闪存部分。DRAM和NAND闪存市场对2018年的增长预测被调整为DRAM的37%高于先前估计的13%， NAND闪存将调整为17%，高于先前估计的10%。

　　DRAM市场对2018年的预测大幅增长，主要是由于今年的ASP（平均售价）预期远远超过去年。IC Insights预测，DRAM ASP在2018年将比2017年增长36%，2017年这一市场以惊人的81%的速度增长。此外，NAND闪存预计今年将增长10%，在2017年则增长了45%。与强劲的DRAM和NAND闪存的ASP增长相比，2018年这些产品部分的销量增长预计仅增长1%和6%。

　　相关报告声称，预计到2018年，DRAM市场整体规模将会达到996亿美元，比NAND闪存市场621亿美元还高出375亿美元，将成为IC行业最大的单一产品类别。从图表中就可以看出，在过去5年里，DRAM已成为全球IC市场成长的关键。

　　有相关分析师声称，年初内存报价仅下滑3%，跌幅远不如过去三年的Q1跌幅，预测未来6个月报价有望上扬10%。研究显示，供货商会在Q2、Q3有涨价的趋势，有驳于市场原本预测的未来四个季度每季度5%-6%的跌幅。

　　分析师认为，美光估价顺利突破耗时3-4个月asp技术，目前正处于另一波大涨行情的初始阶段。而后又提出了多项对美光有利因素，比如：DRAM报价有望自第二个季度复苏、公司将在5月首次宣布股利发放和库藏股计划、NAND毛利率持续扩张等。

　　咨询机构集邦咨询（TrendForce）日前表示，2021年第四季度，全球DRAM总产值为250.3亿美元，环比下降5.8%，多数DRAM制造商当季出货量下滑。根据TrendForce分析，上述表现源于手机等诸多终端产品零部件供应不畅，间接制约下游厂商DRAM备货意愿，对于DRAM库存周转天数在10周以上的白牌PC制造商影响尤为明显。展望2022年一季度，TrendForce认为，处于传统需求淡季的DRAM价格仍有向下压力，全球DRAM产值可能进一步下跌。市场份额方面，去年四季度三星仍以42.3%位居第一，SK海力士逆势增长位居第二。

　　1月25日，业内有消息指出，美光科技正在解散150人左右规模的上海研发中心，并挑选了40多位核心研发人员提供移民技术美国的资格。针对上述消息，记者在向多位美光前员工与在职员工求证后获悉，美光此次并非解散整个上海研发中心，而是仅仅解散了DRAM设计部门，该部门总人数超过100人。除了该团队，美光上海研发中心还包括销售、测试等多个部门。另外，美光目前在西安的工厂也不会发生其他异动，该厂主要开展集成电路装配与测试以及DRAM模块制造。美光员工透露，上海的DRAM设计团队的解散将于今年内完成，公司提供技术移民美国资格的消息属实，部分核心员工将可以携带家属一同移民至美国，目前仍无法确定有多少员工会选择移民。某半导体行业高管评论称，美光解散DR

　　韩国投资机构KB Securities最新报告指出，中国西安的封锁措施应该会扰乱物流和DRAM/NAND生产。因此看到2022年上半年供需动态改善，这应该会改善芯片价格的前景。据该机构分析，三星电子已开始降低其西安工厂的晶圆投入，美光工厂的产能利用率也在下降，DRAM封测产线的工人已减少到正常水平的50%，减产应该会促使主要设备制造商增加库存，对上半年的价格谈判产生积极的影响。相较于市场研究中心预测的季度降幅为10-15%，KB Securities预计第二季度DRAM价格将下降8%左右。

　　昨（3）日下午17时46分在中国台湾东部海域发生芮氏规模约6.0地震，据市调机构集邦咨询（TrendForce）初步调查结果显示，中国台湾DRAM与晶圆代工厂并无重大机台损害，生产方面正常运行，实际影响有限。据悉，在DRAM方面，中国台湾占全球产能约21%，包含中国台湾美光晶圆科技、南亚科以及其他较小型厂房的综合产出；晶圆代工方面，中国台湾占全球产能高达51%，包含台积电联电、世界先进与力积电等公司的综合产出。日前，台积电在地震发生后表示，目前各厂区未传出任何灾情，人员也没有疏散，生产作业一切正常；联电方面也表示，新竹和台南的产线皆没有受到影响。

　　一、关于DRAM上一章我们讲解了如何对代码进行重定位，但是将代码重定位到只有256K IRAM中作用不大。正确的做法是将代码重定位到容量更大的主存中，即DRAM。Exynos4412中有两个独立的DRAM控制器，分别叫DMC0和DMC1。DMC0和DMC1分别支持最大1.5G的DRAM，它们都支持DDR2/DDR3和LPDDR2等，512 Mb, 1 Gb, 2 Gb, 4 Gb and 8 Gbit的内存设备，支持16/32bit的位宽。DRAM0 对应的地址是0x4000_0000~0xAFFF_FFF共1.5GB，DRAM1 对应的地址是0xA000_000~0x0000_0000共1.5GB。图7-1、DRAM控

　　一、实验原理上一章已经解释的很清楚了，如何将所要运行的user_bin程序定位到DRAM中，这一章要进行重定位到DRAM后运行LCD程序，实际上一章中BL2中程序可以不用改动，直接重写我们的USER目录下的程序即可，将USER目录下的LED灯闪烁程序用LCD程序替换就行，最后编译出的程序名字也叫user_bin.bin即可，这样也可以用上一章中的fast_fuse.sh进行烧写到SD卡运行。1、LCD控制器Exynos4412的LCD控制器可以通过编程支持不同LCD屏的要求，例如行和列像素数，数据总线宽度，接口时序和刷新频率等。LCD控制器的主要作用，是将定位在系统存储器中的显示缓冲区中的LCD图像数据传送到外部LCD驱动器，并产生

　　及LCD实验 /

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